This is a quantity property representing the manufacturing processes used for fabrication of the device.

• 1 nm,nanometer
• 0.001 μm,µm,micrometer
• 0.000001 mm,millimeter

Pages using the property "process"

Showing 25 pages using this property.

View (previous 25 | next 25) (20 | 50 | 100 | 250 | 500)

K
Kaby Lake X - Cores - Intel +	14 nm 0.014 μm 1.4e-5 mm   +
Kaby Lake Y - Cores - Intel +	14 nm 0.014 μm 1.4e-5 mm   +
Kaby Lake - Microarchitectures - Intel +	14 nm 0.014 μm 1.4e-5 mm   +
KaisHeng (KH) - Zhaoxin +	28 nm 0.028 μm 2.8e-5 mm   +
KaisHeng KH-25800 - Zhaoxin +	28 nm 0.028 μm 2.8e-5 mm   +
KaisHeng KH-26800 - Zhaoxin +	28 nm 0.028 μm 2.8e-5 mm   +
KaiXian (ZX/KX) - Zhaoxin +	40 nm 0.04 μm 4.0e-5 mm   +, 28 nm 0.028 μm 2.8e-5 mm   +
KaiXian KX-5540 - Zhaoxin +	28 nm 0.028 μm 2.8e-5 mm   +
KaiXian KX-5640 - Zhaoxin +	28 nm 0.028 μm 2.8e-5 mm   +
KaiXian KX-U5580 - Zhaoxin +	28 nm 0.028 μm 2.8e-5 mm   +
KaiXian KX-U5580M - Zhaoxin +	28 nm 0.028 μm 2.8e-5 mm   +
KaiXian KX-U5680 - Zhaoxin +	28 nm 0.028 μm 2.8e-5 mm   +
KaiXian KX-U6880 - Zhaoxin +	16 nm 0.016 μm 1.6e-5 mm   +
KiloCore - UC Davis +	32 nm 0.032 μm 3.2e-5 mm   +
Kilocore - Rapport +	180 nm 0.18 μm 1.8e-4 mm   +
Kirin 710 - HiSilicon +	12 nm 0.012 μm 1.2e-5 mm   +
Kirin 810 - HiSilicon +	7 nm 0.007 μm 7.0e-6 mm   +
Kirin 970 - HiSilicon +	10 nm 0.01 μm 1.0e-5 mm   +
Kirin 980 - HiSilicon +	7 nm 0.007 μm 7.0e-6 mm   +
Kirin 990 4G - HiSilicon +	7 nm 0.007 μm 7.0e-6 mm   +
Kirin - HiSilicon +	28 nm 0.028 μm 2.8e-5 mm   +, 16 nm 0.016 μm 1.6e-5 mm   +, 10 nm 0.01 μm 1.0e-5 mm   +, …
Kittson - Microarchitectures - Intel +	22 nm 0.022 μm 2.2e-5 mm   +
Knights Corner - Microarchitectures - Intel +	22 nm 0.022 μm 2.2e-5 mm   +
Knights Ferry - Microarchitectures - Intel +	45 nm 0.045 μm 4.5e-5 mm   +
Knights Hill - Microarchitectures - Intel +	10 nm 0.01 μm 1.0e-5 mm   +