From WikiChip
Am186 - AMD
< amd

AMD Am186
KL AMD R80186 CLCC.jpg
AMD R80186
Developer Intel
Manufacturer AMD
Type Microprocessors
Introduction April, 1984 (announced)
June, 1984 (launch)
Production 1984
Architecture 80186
ISA x86-16
µarch 80186
Word size 16 bit
2 octets
4 nibbles
Process 1.5 µm
1,500 nm
0.0015 mm
Technology nMOS
Clock 6 MHz-50 MHz
Package CPGA-68, CLCC-68, QFP-68, TQFP-68
Succession
Am8086 Am186Ex
Am186Cx
Am286
Am386

Am186 (AMD 80186) was a second-sourced 80186 chip designed by Intel and manufactured by AMD. Designs and tools for the 186 were transferred to AMD in March of 1984, sample chips were available Q3 and volume production started Q4 1984. The Am186 is an offshoot of the mainstream x86 series designed for embedded application as opposed to general personal computers and was released around the same time AMD released their Am286 family.

Architecture[edit]

New text document.svg This section is empty; you can help add the missing info by editing this page.

Members[edit]

Original Series[edit]

,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
Am186 Processors
ModelLaunchedProcessFreqBusMax MemPackagePowerMin TcaseMax Tcase
80186-6/BUC19841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
6 MHz
0.006 GHz
6,000 kHz
1.5 MHz
0.0015 GHz
1,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
-55 °C
218.15 K
-67 °F
392.67 °R
125 °C
398.15 K
257 °F
716.67 °R
80186-6/BZC19841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
6 MHz
0.006 GHz
6,000 kHz
1.5 MHz
0.0015 GHz
1,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
-55 °C
218.15 K
-67 °F
392.67 °R
125 °C
398.15 K
257 °F
716.67 °R
80186/BUC19841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
8 MHz
0.008 GHz
8,000 kHz
2 MHz
0.002 GHz
2,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
-55 °C
218.15 K
-67 °F
392.67 °R
125 °C
398.15 K
257 °F
716.67 °R
80186/BZC19841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
8 MHz
0.008 GHz
8,000 kHz
2 MHz
0.002 GHz
2,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
-55 °C
218.15 K
-67 °F
392.67 °R
125 °C
398.15 K
257 °F
716.67 °R
A8018619851.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
8 MHz
0.008 GHz
8,000 kHz
2 MHz
0.002 GHz
2,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
2 W
2,000 mW
0.00268 hp
0.002 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
110 °C
383.15 K
230 °F
689.67 °R
A80186-1019851.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
10 MHz
0.01 GHz
10,000 kHz
2.5 MHz
0.0025 GHz
2,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
2 W
2,000 mW
0.00268 hp
0.002 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
110 °C
383.15 K
230 °F
689.67 °R
C80186-119841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
10 MHz
0.01 GHz
10,000 kHz
2.5 MHz
0.0025 GHz
2,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
C80186-319841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
8 MHz
0.008 GHz
8,000 kHz
2 MHz
0.002 GHz
2,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
C80186-619841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
6 MHz
0.006 GHz
6,000 kHz
1.5 MHz
0.0015 GHz
1,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
CG80186-319841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
8 MHz
0.008 GHz
8,000 kHz
2 MHz
0.002 GHz
2,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
CG80186-619841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
6 MHz
0.006 GHz
6,000 kHz
1.5 MHz
0.0015 GHz
1,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
IA8018619851.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
8 MHz
0.008 GHz
8,000 kHz
2 MHz
0.002 GHz
2,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
2 W
2,000 mW
0.00268 hp
0.002 kW
-40 °C
233.15 K
-40 °F
419.67 °R
85 °C
358.15 K
185 °F
644.67 °R
IC80186-319841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
8 MHz
0.008 GHz
8,000 kHz
2 MHz
0.002 GHz
2,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
-40 °C
233.15 K
-40 °F
419.67 °R
85 °C
358.15 K
185 °F
644.67 °R
IC80186-619841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
6 MHz
0.006 GHz
6,000 kHz
1.5 MHz
0.0015 GHz
1,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
-40 °C
233.15 K
-40 °F
419.67 °R
85 °C
358.15 K
185 °F
644.67 °R
IG80186-319841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
8 MHz
0.008 GHz
8,000 kHz
2 MHz
0.002 GHz
2,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
-40 °C
233.15 K
-40 °F
419.67 °R
85 °C
358.15 K
185 °F
644.67 °R
IG80186-619841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
6 MHz
0.006 GHz
6,000 kHz
1.5 MHz
0.0015 GHz
1,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
-40 °C
233.15 K
-40 °F
419.67 °R
85 °C
358.15 K
185 °F
644.67 °R
IR8018619851.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
8 MHz
0.008 GHz
8,000 kHz
2 MHz
0.002 GHz
2,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
2 W
2,000 mW
0.00268 hp
0.002 kW
-40 °C
233.15 K
-40 °F
419.67 °R
85 °C
358.15 K
185 °F
644.67 °R
J80186-119841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
10 MHz
0.01 GHz
10,000 kHz
2.5 MHz
0.0025 GHz
2,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
J80186-319841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
8 MHz
0.008 GHz
8,000 kHz
2 MHz
0.002 GHz
2,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
J80186-619841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
6 MHz
0.006 GHz
6,000 kHz
1.5 MHz
0.0015 GHz
1,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
MG80186-319841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
8 MHz
0.008 GHz
8,000 kHz
2 MHz
0.002 GHz
2,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
-55 °C
218.15 K
-67 °F
392.67 °R
125 °C
398.15 K
257 °F
716.67 °R
MG80186-619841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
6 MHz
0.006 GHz
6,000 kHz
1.5 MHz
0.0015 GHz
1,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
-55 °C
218.15 K
-67 °F
392.67 °R
125 °C
398.15 K
257 °F
716.67 °R
MR80186-319841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
8 MHz
0.008 GHz
8,000 kHz
2 MHz
0.002 GHz
2,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
-55 °C
218.15 K
-67 °F
392.67 °R
125 °C
398.15 K
257 °F
716.67 °R
MR80186-619841.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
6 MHz
0.006 GHz
6,000 kHz
1.5 MHz
0.0015 GHz
1,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
3 W
3,000 mW
0.00402 hp
0.003 kW
-55 °C
218.15 K
-67 °F
392.67 °R
125 °C
398.15 K
257 °F
716.67 °R
N8018619851.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
8 MHz
0.008 GHz
8,000 kHz
2 MHz
0.002 GHz
2,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
2 W
2,000 mW
0.00268 hp
0.002 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
110 °C
383.15 K
230 °F
689.67 °R
N80186-1019851.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
10 MHz
0.01 GHz
10,000 kHz
2.5 MHz
0.0025 GHz
2,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
2 W
2,000 mW
0.00268 hp
0.002 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
110 °C
383.15 K
230 °F
689.67 °R
R8018619851.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
8 MHz
0.008 GHz
8,000 kHz
2 MHz
0.002 GHz
2,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
2 W
2,000 mW
0.00268 hp
0.002 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
110 °C
383.15 K
230 °F
689.67 °R
R80186-1019851.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
10 MHz
0.01 GHz
10,000 kHz
2.5 MHz
0.0025 GHz
2,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
2 W
2,000 mW
0.00268 hp
0.002 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
110 °C
383.15 K
230 °F
689.67 °R
R80186-619851.5 μm
1,500 nm
0.0015 mm
6 MHz
0.006 GHz
6,000 kHz
1.5 MHz
0.0015 GHz
1,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
2 W
2,000 mW
0.00268 hp
0.002 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
110 °C
383.15 K
230 °F
689.67 °R
Count: 29

Low-power CMOS[edit]

In the 1990s AMD introduced a CMOS version of this family that dissipated less power and introducing a number of additional features including on-die DRAM refresh controller and power saving modes.

,,,,,,,,,,,,,,,,,,
Am186 CMOS Processors
ModelFreqBusMax MemPackagePowerMin TcaseMax Tcase
IN80C18610 MHz
0.01 GHz
10,000 kHz
2.5 MHz
0.0025 GHz
2,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
-40 °C
233.15 K
-40 °F
419.67 °R
85 °C
358.15 K
185 °F
644.67 °R
IN80C186-1212.5 MHz
0.0125 GHz
12,500 kHz
3.125 MHz
0.00313 GHz
3,125 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
-40 °C
233.15 K
-40 °F
419.67 °R
85 °C
358.15 K
185 °F
644.67 °R
IN80C186-1616 MHz
0.016 GHz
16,000 kHz
4 MHz
0.004 GHz
4,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
-40 °C
233.15 K
-40 °F
419.67 °R
85 °C
358.15 K
185 °F
644.67 °R
IN80C186-2025 MHz
0.025 GHz
25,000 kHz
6.25 MHz
0.00625 GHz
6,250 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
-40 °C
233.15 K
-40 °F
419.67 °R
85 °C
358.15 K
185 °F
644.67 °R
N80C18610 MHz
0.01 GHz
10,000 kHz
2.5 MHz
0.0025 GHz
2,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
N80C186-1212.5 MHz
0.0125 GHz
12,500 kHz
3.125 MHz
0.00313 GHz
3,125 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
N80C186-1616 MHz
0.016 GHz
16,000 kHz
4 MHz
0.004 GHz
4,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
N80C186-2020 MHz
0.02 GHz
20,000 kHz
5 MHz
0.005 GHz
5,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
N80C186-2525 MHz
0.025 GHz
25,000 kHz
6.25 MHz
0.00625 GHz
6,250 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
S80C18610 MHz
0.01 GHz
10,000 kHz
2.5 MHz
0.0025 GHz
2,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
S80C186-1212.5 MHz
0.0125 GHz
12,500 kHz
3.125 MHz
0.00313 GHz
3,125 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
S80C186-1616 MHz
0.016 GHz
16,000 kHz
4 MHz
0.004 GHz
4,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
S80C186-2020 MHz
0.02 GHz
20,000 kHz
5 MHz
0.005 GHz
5,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
S80C186-2525 MHz
0.025 GHz
25,000 kHz
6.25 MHz
0.00625 GHz
6,250 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
SB80C18610 MHz
0.01 GHz
10,000 kHz
2.5 MHz
0.0025 GHz
2,500 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
SB80C186-1212.5 MHz
0.0125 GHz
12,500 kHz
3.125 MHz
0.00313 GHz
3,125 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
SB80C186-1616 MHz
0.016 GHz
16,000 kHz
4 MHz
0.004 GHz
4,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
SB80C186-2020 MHz
0.02 GHz
20,000 kHz
5 MHz
0.005 GHz
5,000 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
SB80C186-2525 MHz
0.025 GHz
25,000 kHz
6.25 MHz
0.00625 GHz
6,250 kHz
1 MiB
1,024 KiB
1,048,576 B
9.765625e-4 GiB
9.536743e-7 TiB
1 W
1,000 mW
0.00134 hp
0.001 kW
0 °C
273.15 K
32 °F
491.67 °R
70 °C
343.15 K
158 °F
617.67 °R
Count: 19

Documents[edit]

Datasheets[edit]

See also[edit]


Facts about "Am186 - AMD"
designerIntel +
first announcedApril 1984 +
first launchedJune 1984 +
full page nameamd/am186 +
instance ofmicroprocessor family +
instruction set architecturex86-16 +
main designerIntel +
manufacturerAMD +
microarchitecture80186 +
nameAMD Am186 +
packageCPGA-68 +, CLCC-68 +, QFP-68 + and TQFP-68 +
process1,500 nm (1.5 μm, 0.0015 mm) +
technologynMOS +
word size16 bit (2 octets, 4 nibbles) +